直鋪式PVC防靜電地板-山東濟(jì)南奧博防靜電地板有限公司
★ 規(guī)格型號(hào)
XG 600×600×2.0mm
XG 600×600×3.0mm
★ 產(chǎn)品概述
性防靜電塑料地板利用粒子界面網(wǎng)形成的導(dǎo)靜電網(wǎng)絡(luò),使其具有性防靜電功能、耐腐蝕等特點(diǎn),還具有較好的裝飾效果。
★ 應(yīng)用范圍
該產(chǎn)品主要用于電子計(jì)算機(jī)房,凈化室,程控交換機(jī)房、電子儀器制造業(yè),微電子工業(yè)的生產(chǎn)廠房、無菌室、中央控制室等生產(chǎn)場(chǎng)所要求凈化、防靜電的地面裝飾。在銀行,郵電、鐵路、交通、醫(yī)藥、微電子工業(yè),電子儀器行業(yè)等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。
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上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
陽 | 電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動(dòng)匹配 |
大陽功率 | >1kW |
大離子束流 | > 1000mA |
電壓范圍 | 100-1200V |
離子束動(dòng)能 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2, 其他 |
流量 | 5-50 sccm |
壓力 | < 0.5mTorr |
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn) | OptiBeamTM |
離子束柵 | 22cm Φ |
柵材質(zhì) | 鉬 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000, MHC 1000 |
高度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
鎖緊安裝法蘭 | 10”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用域:預(yù)清洗表面改性輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD離子蝕刻 IBE射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐T: +86-21--3511 ext 107 T: +886-3--9508 ext 161F: +86-21-- F: +886-3--0049M: +86 -883- M: +886---958上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
主要產(chǎn)品:1.用于材料研究和扣式電池的。ㄎⅲ╇娏鳒y(cè)試設(shè)備電流量程:1mA/2mA/5mA/10mA/100mA;電壓量程:5V;輸入阻抗高達(dá)1GΩ主要特點(diǎn):精度高,功能強(qiáng),電流精度可到nA級(jí)。 2.用于電芯和手機(jī)電池測(cè)試用的常規(guī)電流測(cè)試設(shè)備電流量程:1500mA/1800mA/3A/6A電壓量程:5V;(用于組合電池的測(cè)試,可提供10V/15V/24V/36V/.../800V的電壓)輸入阻抗≥1MΩ主要特點(diǎn):精度高,功能強(qiáng),測(cè)量電流一般為1800mA。 3.用于動(dòng)力電池(如電動(dòng)汽車)測(cè)試用的大電流、高電壓測(cè)試設(shè)備電流量程:10A/20A/.../3000A;電壓量程:5V/10V/20V.../800V;輸入阻抗1MΩ主要特點(diǎn):精度高、功能強(qiáng)、高可靠性和高穩(wěn)定性。 4.超級(jí)電容檢測(cè)系統(tǒng):除了具有系統(tǒng)的特性外,還提高了A/D采樣速度(10個(gè)數(shù)據(jù)/秒)。(★可根據(jù)用戶具體需求,設(shè)計(jì)定做)
5.混合動(dòng)力電池檢測(cè)系統(tǒng)AV900測(cè)試大功率動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng),大功率動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)(汽車,卡車,交通工具,強(qiáng)大的電腦控制雙向負(fù)載功能。
6. 型號(hào)齊全,可根據(jù)客戶的需求設(shè)計(jì)制造電流1mA~1000A、電壓5V~800V量程內(nèi)各種型號(hào)的設(shè)備
新威售后服務(wù):
1、保修一年,免費(fèi)提供軟件升級(jí)
2、免費(fèi)安裝調(diào)試及培訓(xùn)
詳細(xì)的產(chǎn)品資料歡迎電聯(lián)!價(jià)格以最后確認(rèn)為準(zhǔn)
聯(lián)系人:羅小姐
電話:18826525766 /
V形錐流量計(jì)
V錐流量計(jì)是一種差壓式流量計(jì),(V錐流量計(jì)選普升)屬于邊壁收縮式節(jié)流裝置,與普通節(jié)流裝置的測(cè)量原理一樣,均基于伯努利方程和流體連續(xù)性方程,所不同的是,普通節(jié)流裝置的最小流通截面為圓形,而V錐流量計(jì)的最小流通截面為環(huán)形。當(dāng)流體流經(jīng)懸掛在管道中的V型錐與管壁所形成的間隙,流體流速加快,在V型錐的最大端達(dá)到最大,在V錐的下游處形成一個(gè)低壓端,從而在V型錐前后產(chǎn)生差壓,(V錐流量計(jì)選普升)基于封閉管道中的能量相互轉(zhuǎn)換的伯努利定律,利用流體的連續(xù)性方程和伯努利方程,即可推導(dǎo)出差壓值的數(shù)學(xué)關(guān)系式,(V錐流量計(jì)選普升)通過對(duì)差壓的測(cè)量達(dá)到對(duì)流量的測(cè)量
電話:
在正常細(xì)胞中,***脂酰絲氨酸只分布在細(xì)胞膜脂質(zhì)雙層的內(nèi)側(cè),細(xì)胞發(fā)生凋亡最早期,膜***脂酰絲氨酸(PS)由脂膜內(nèi)側(cè)翻向外側(cè),這一變化早于細(xì)胞皺縮、染色質(zhì)濃縮、DN**斷化和細(xì)胞膜的通透性增加等凋亡現(xiàn)象。AnnexinV是一種***脂結(jié)合蛋白,與***脂酰絲氨酸有高度親和力,故可通過細(xì)胞外側(cè)暴露的***脂酰絲氨酸與凋亡早期細(xì)胞的胞膜結(jié)合。因此AnnexinV被作為檢測(cè)細(xì)胞早期凋亡的靈敏指標(biāo)之一。***化丙***(Propidium Iodide,PI)是一種核酸染料,它不能透過完整的細(xì)胞膜,但凋亡中晚期的細(xì)胞和死細(xì)胞由于細(xì)胞膜通透性的增加,PI能夠透過細(xì)胞膜而使細(xì)胞核染紅。因此將Annexin V與PI匹配使用,就可以將處于不同凋亡時(shí)期的細(xì)胞區(qū)分開來。二、BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒的組份: Product code Description556547 Annexin V-FITC Apoptosis Detection Kit IComponents:556547a Annexin V Binding Buffer, 10X conc (51-66121E556547b Annexin V-FITC (51-65874X)556547c Propidium Iodide Staining Solution(51-66211E) BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒 100T 三、BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒的操作步驟 : 貼壁細(xì)胞需用0.25%的胰酶消化。注意過度消化可損傷細(xì)胞。在消化時(shí)可加2%的BSA可防止消化過度。如果用含EDTA的胰酶消化時(shí),注意必須徹底清除EDTA:在標(biāo)記前用1×PBS或1×bindingbuffer洗滌,清除EDTA,以免殘余的EDTA與Ca2+螯合,影響Annexin V的結(jié)合。(1)用去離子水將10×Binding Buffer稀釋成1×Binding Buffer;(2)細(xì)胞收集。懸浮細(xì)胞收集:離心5分鐘;貼壁細(xì)胞:用不含EDTA的胰酶消化收集后(注:胰酶消化時(shí)間不宜過長,否則會(huì)影響細(xì)胞膜上***脂酰絲氨酸與Annexin V-FITC的結(jié)合),于室溫2000rpm離心5~10分鐘,收集細(xì)胞;(3)細(xì)胞洗滌:用預(yù)冷1×PBS(4℃)重懸細(xì)胞一次,2000rpm離心5~10分鐘,洗滌細(xì)胞;(4)加入300μL 的1×Binding Buffer 懸浮細(xì)胞;(5)Annexin V-FITC標(biāo)記:加入5μL的Annexin V-FITC混勻后,避光,室溫孵育15分鐘;(6)PI標(biāo)記:上機(jī)前5分鐘再加入5μL的PI染色。(7)上機(jī)前,補(bǔ)加200μL的1×Binding Buffer。產(chǎn)品資料BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒 100T四、BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒的保存:
4℃保存,兩個(gè)月內(nèi)可保持穩(wěn)定;避免反復(fù)凍融。五、BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒的注意事項(xiàng) :(1)本試劑只適用于實(shí)驗(yàn),不適用于臨床檢測(cè);(2)PI(propidium iodide,***化丙錠)有毒性,能通過皮膚吸收,對(duì)眼睛有刺激作用,使用時(shí)需戴手套;(3)Annexin V-FITC和PI是光敏物質(zhì),在操作時(shí)請(qǐng)注意避光。在處理和標(biāo)記時(shí),盡可能在暗處進(jìn)行。在孵育階段,用鋁箔包裹容器或置于抽屜中。細(xì)胞標(biāo)記后,在暗室內(nèi)用顯微鏡觀察;(4)整個(gè)操作過程動(dòng)作要盡量輕柔,勿用力吹打細(xì)胞,盡量在4℃下操作,以免影響細(xì)胞狀態(tài)。(5)在細(xì)胞洗滌的最后一步,請(qǐng)盡量將上清棄凈,以免PBS殘留,有可能會(huì)影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。(6)為防止熒光衰變,宜在1小時(shí)內(nèi)進(jìn)行流式檢測(cè)。(7)PI染色時(shí)間過長有可能造成檢測(cè)的凋亡率偏高,建議首先進(jìn)行Annexin V-FITC染色,最短可在上機(jī)前5分鐘再加入PI染色。
BD 556547 AnnexinV-FITC/PI細(xì)胞凋亡雙染試劑盒 100T
上海索宜 24V 150 實(shí)驗(yàn)用水處理電源 特點(diǎn):
具有自動(dòng)恒壓、恒流、過流、過壓、欠壓、缺相、超溫等保護(hù)功能;
體積小,重量輕,只是同規(guī)格可控硅整流器的20%l 效率高,節(jié)能。比可控硅整流器節(jié)能20~30%l 功率因數(shù)高,對(duì)電網(wǎng)污染小。輸出電壓、電流獨(dú)立可調(diào),恒壓、恒流自動(dòng)轉(zhuǎn)換。 PLC接口功能:可遠(yuǎn)程控制電源輸出。告警功能:具有電流告警、短路告警功能。
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產(chǎn)品說明:
標(biāo)準(zhǔn)試件尺寸:50× 125mm
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